由于人工智能芯片需求的激增，导致硅中间层面积增加，进而导致12英寸晶圆可切割数量减少，进一步加剧了CoWoS封装的供不应求情况。
据台积电预测，英伟达推出的B系列芯片（包括GB200、B100、B200）将消耗更多的CoWoS封装产能。此外，台积电还预计到年底月产能将接近4万片，相比2023年总产能增长超过150%。
然而，英伟达发布的B100和B200芯片中，中间层面积（interposer area）将比以前更大。这意味着从12英寸晶圆切割出来的芯片数量减少，导致CoWoS封装厂无法满足GPU需求。
另外，在HBM方面也存在难题。采用EUV光刻技术开始逐步增加，以HBM市场份额第一的SK海力士为例，在1α生产时应用单层EUV技术，并在今年起转向1β，并有可能将EUV应用提升至3～4倍。
除技术难度提升外，在HBM迭代中，HMB中的DRAM数量也同步增加。在HMB2中堆叠的DRAM数量为4～8个，在HMB3/3E中增加到了8～12个，在HMB4中堆叠的DRAM数量将达到16个。
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